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フラッシュ・メモリの英語表記は？

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投稿者投稿内容
Junbow
ぬし
会議室デビュー日: 2002/01/24
投稿数: 373
お住まい・勤務地: saga.jp
投稿日時: 2002-06-17 20:51
　お疲れ様です。
　JAVA solutions のところで、「フラッシュ」の話が出ていましたが、gooの辞書で「flush」を検索したときに「flush memory」という表記がありました。
　それで、「あれ？」と思って、手元のノーブランド？のメモリのパッケージを見たところ、「Compact Flash」と書いてありました。
　不思議に思って「flash memory」「flush memory」の両方で検索したら、どっちもいろいろ出てくるのですが、これって本当は、どちらが正解でしょうか？！？！

※ "flush と flash"で検索しましたが、今ひとつ。
H2
ぬし
会議室デビュー日: 2001/09/06
投稿数: 586
お住まい・勤務地: 港
投稿日時: 2002-06-17 21:12
手元の「日経パソコン 新語辞典 2000年」によるとFlash Memoryです。IntelのウェブページでもFlashみたい。
http://www.intel.com/design/flash/
＠ITのオンライン辞書でもFlash。

今の所、私の中ではFlashです。

でもGoogleだと、Flushでもたくさん出てきますねぇ。
H2
ぬし
会議室デビュー日: 2001/09/06
投稿数: 586
お住まい・勤務地: 港
投稿日時: 2002-06-17 21:21
追加：

今、Computer Architectureの教科書で調べました。私の教科書によると、
フラッシュメモリーはEEPROMの一種だそうです。EEPROMは瞬間的な電気信号で読み書きします。この瞬間的な電気信号を「Flash」（浴びせる）のではないかなぁっていうのが私の見解。どうでしょう？
Uchikoshi
＠ITエディタ
会議室デビュー日: 2001/07/27
投稿数: 197
投稿日時: 2002-06-18 01:53
　EEPROMと比べると、瞬く間に（一瞬のうちに）消したり、書き込んだりできるので、
Flash Memoryと名付けたのではないでしょうか（多分に広告的な用語だと思いますが）。
EEPROMの読み書きは、確か分単位の時間がかかっていたような気がしますが、
それに比べると、Flashは断然早いですよね。

　そういえば昔の紫外線消去EPROMのイレーサ（消去器）で、強烈なフラッシュ光（？）
を当てて、一瞬のうちに“消す”のがあったけど、あれとはまったく関係ないよな、やっぱり…。
Junbow
ぬし
会議室デビュー日: 2002/01/24
投稿数: 373
お住まい・勤務地: saga.jp
投稿日時: 2002-06-18 09:48
＞　瞬く間に（一瞬のうちに）消したり、書き込んだりできる
　そうですよねー。ほんと、小さいのによくできてますよね。
　そういえば、フラッシュメモリって、「読むのはチビチビ、書くのは一気に！」じゃなかったでしたっけ？？
　そう考えると、書き込みに関しての"Flush"は、それはそれで的を得ているみたい。読み出しは"Flash"ですが(^^)

ed17
ベテラン
会議室デビュー日: 2002/05/24
投稿数: 53
投稿日時: 2002-06-18 10:00
引用:

H2さんの書き込み (2002-06-17 21:12) より:

でもGoogleだと、Flushでもたくさん出てきますねぇ。


バッファやメモリを「フラッシュする」（==ディスクに書きこむ、通信回線に送出
する）という場合の用例が多いようです。
fflush(3)とかでおなじみですね。

*編集追記：投稿時点ではJavaのほうのスレッド見てませんでしたので重複失礼!

ちなみに、「フラッシュメモリ」はセル構造を発明した東芝の命名なので
多分に「和製英語」の気があるような気がします(^^;;
命名の経緯をある学会誌の記事で読んだのですがすぐに出てこないので
一応Googleの検索結果から、
http://www.sgkz.or.jp/nenpoh/homon/
を挙げておきます。


[ メッセージ編集済み 編集者: ed17 編集日時 2002-06-18 10:57 ]
ed17
ベテラン
会議室デビュー日: 2002/05/24
投稿数: 53
投稿日時: 2002-06-18 10:32
引用:

Junbowさんの書き込み (2002-06-18 09:48) より:
　そういえば、フラッシュメモリって、「読むのはチビチビ、書くのは一気に！」じゃなかったでしたっけ？？


ちょっと不安な記憶ではありますが 、
フラッシュメモリは読み出しはランダムにできますが、消去はブロック（セクタ）単位
で一括して行います。さらに、書き込みは１方向しかできない（1→0は可能だが、0→1
はできない）ため、予め消去(0→1に)する必要があります。このため書き込み時間は読
み出しにくらべ長くなり、セクタ消去もmsオーダ掛かるので、RAMとは圧倒的に差が出
ます。
#UV-EPROMでも、書き込みは1→0のみでしたね。これを利用して書き込み不要な領域
#はFFで埋めておくとEPROMプログラマが書き込みをスキップしてくれるので、見かけ
#上高速に書きこめる、というのをご存知な方は多いでしょう。

PCカードのフラッシュATAカードのようなHDD互換デバイスでは、もともとHDDがセクタ
単位でしか読み書きできないため、フラッシュメモリもセクタ単位で書き込みますから
そういう仕様でも特に問題はありません。
satoroon
会議室デビュー日: 2001/12/24
投稿数: 10
投稿日時: 2002-06-18 11:41
gooの辞書検索では「FLASH」でも「FLUSH」でも両方「フラッシュメモリー」となっていますね。

本題から外れて、書き込みと読み出しのスピードの件ですが、「書き込み」スピードのほうが
遅いです。
仕事でフラッシュメモリのコピープログラムを作ったことがあるのですが、イレーズ（ブロック
消去）→書き込みという手順で書き換えます。
「読み出し」はRAMに近い高速読み出しが可能です。
「書き込み」は４M(bit)チップ全部だと、10秒以上掛かっていた記憶がありますで、イレーズ
時間も入れて、１バイトあたり、２０～３０μＳ程度だと思います。
（ＣＰＵとかの性能に左右されるとは思いますが）

実際は４Ｍバイト＋パリティ（４Ｍチップ＊９）のメモリーカード同士のコピーなのですが、
全体で３分弱かかります。
参考まで。
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