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SDRAM （Synchronous Dynamic Random Access Memory）

【エス・ディー・ラム／シンクロナス・ディー・ラム】

別名
・シンクロナスDRAM （Synchronous DRAM） 【シンクロナス・ディー・ラム】

　外部クロックに同期して動作するように設計されたDRAM。Synchronousとは同期という意味。従来のDRAMと比べると、最大データ転送速度などの性能が高くなっているのが特徴であり、最近の高性能なコンピュータシステムでは主流となっている。SDRAMのクロック速度は、66MHzや100MHz、133MHzなどが代表的である。

　従来のDRAM（FPM DRAM、EDO DRAMを含む）では、データの読み出しや書き込み要求は、RASやCASのような制御用信号線の遷移（高レベルから低レベルへの変化など）をDRAMチップ内部で検出して、それを基準にして内部でのデータの読み書き動作を開始していた。このような制御方式を非同期方式（Asynchronous）と呼ぶ。この方式では、実際にコマンドやデータを受け取るまで次の動作を決めることができないため、ある程度以上の高速化ができないという問題点がある。実際、連続データ読み出しサイクル（バースト読み出しサイクル）は、高速なDRAMでも66MHzを超えることはない。

　これに対してSDRAMでは、外部との信号のやり取りをすべてクロックに同期させて行っている。また、あらかじめコマンド（データの読み出しや書き込み、一度に転送するバイト数など）をSDRAMに送っておき、その結果もクロックに同期させてやり取りするため、より高速に動作することができるし（あらかじめデータを内部で用意しておき、クロックに同期して外部へ取り出す）、高度な機能も実装しやすく、回路設計なども容易になるという特徴がある。SDRAMでは100MHzを超える速度でのデータ入出力が可能であるし、最近ではデータ転送レートをクロックの倍にまで上げたDDR SDRAMという製品もある（DDR SDRAMに対して、1クロック周期で1回のデータ入出力を行うSDRAMを特にSDR SDRAMと呼ぶ）。

　SDR SDRAMを用いたメモリモジュールとしては、動作クロックが66MHzのPC66、100MHzのPC100、133MHzのPC133の3種類が一般的であり、DDR SDRAMを用いたメモリモジュールとしては、動作クロックが100MHzのPC1600と、133MHzのPC2100の2種類が一般的である。

SDRAMの基本的な信号タイミング SDRAMは基準となるクロック信号に同期して動作する。�@のタイミングでSDRAMの動作開始コマンドと行（Row）アドレスの指定を行い、�Aで読み出しなどのコマンドを与えると同時に列（Column）アドレスの指定を行う。データは�Bの時点から毎クロックごとに出力される。

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